NE3515S02-A
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Technische Details NE3515S02-A
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02, Packaging: Bulk, Current - Test: 10 mA, Voltage - Test: 2 V, Voltage - Rated: 4 V, Supplier Device Package: S02, Noise Figure: 0.3dB, Technology: GaAs HJ-FET, Gain: 12.5dB, Power - Output: 14dBm, Frequency: 12GHz, Current Rating (Amps): 88mA, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NE3515S02-A | CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02 Packaging: Bulk Current - Test: 10 mA Voltage - Test: 2 V Voltage - Rated: 4 V Supplier Device Package: S02 Noise Figure: 0.3dB Technology: GaAs HJ-FET Gain: 12.5dB Power - Output: 14dBm Frequency: 12GHz Current Rating (Amps): 88mA Package / Case: 4-SMD, Flat Leads |
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| NE3515S02-A |
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Hersteller: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Bulk
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: S02
Noise Figure: 0.3dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 12.5dB
Power - Output: 14dBm
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 88mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Bulk
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: S02
Noise Figure: 0.3dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 12.5dB
Power - Output: 14dBm
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