NE3521M04-T2-A Renesas Electronics Corporation
Hersteller: Renesas Electronics CorporationDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 20GHz
Configuration: N-Channel
Gain: 11dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.85dB
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 6 mA
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Technische Details NE3521M04-T2-A Renesas Electronics Corporation
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Current Rating (Amps): 70mA, Frequency: 20GHz, Configuration: N-Channel, Gain: 11dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.85dB, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 6 mA.
Weitere Produktangebote NE3521M04-T2-A
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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NE3521M04-T2-A Produktcode: 191034 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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| NE3521M04-T2-A | Hersteller : Renesas Electronics |
Renesas Electronics |
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| NE3521M04-T2-A | Hersteller : CEL |
CEL N-Channel GaAs HJ-FET, K-Band Low Noise and High Gain |
Produkt ist nicht verfügbar |