Technische Details NE5532DG4 TI
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±5...15, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. в, Anzahl je Verpackung: 975 Stücke.
Weitere Produktangebote NE5532DG4
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| NE5532DG4 | Texas Instruments |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±5...15, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вAnzahl je Verpackung: 975 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
|
NE5532DG4 | Texas Instruments |
Description: IC OPAMP GP 10MHZ 8SOIC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 975 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NE5532DG4 |
![]() |
Hersteller: Texas Instruments
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±5...15, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. в
Anzahl je Verpackung: 975 Stücke
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±5...15, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. в
Anzahl je Verpackung: 975 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE5532DG4 |
![]() |
Hersteller: Texas Instruments
Description: IC OPAMP GP 10MHZ 8SOIC
Description: IC OPAMP GP 10MHZ 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 975 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH


