Technische Details NE6510179A NEC
Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: SMD, Drain-Source-Spannung Uds, V: 8 V, Drain-Strom Idd, A: 2,8 A, Bemerkung: FET, N-Kanal, UHF, Leistung, 0,8…2,5GHz, Ausg.max=32,5dBm(1,9GHz), Montage: SMD.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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NE6510179A Produktcode: 99170
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NEC |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SMD Drain-Source-Spannung Uds, V: 8 V Drain-Strom Idd, A: 2,8 A Bemerkung: FET, N-Kanal, UHF, Leistung, 0,8…2,5GHz, Ausg.max=32,5dBm(1,9GHz) Montage: SMD |
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Hersteller: NEC
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SMD
Drain-Source-Spannung Uds, V: 8 V
Drain-Strom Idd, A: 2,8 A
Bemerkung: FET, N-Kanal, UHF, Leistung, 0,8…2,5GHz, Ausg.max=32,5dBm(1,9GHz)
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SMD
Drain-Source-Spannung Uds, V: 8 V
Drain-Strom Idd, A: 2,8 A
Bemerkung: FET, N-Kanal, UHF, Leistung, 0,8…2,5GHz, Ausg.max=32,5dBm(1,9GHz)
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 6.66 EUR |