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NE85639R Diodes Incorporated

Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
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Technische Details NE85639R Diodes Incorporated

RF Bipolar Transistors NPN High Frequency.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NE85639R Hersteller : NEC/CEL ne856-1186586.pdf RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
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