NGB30T65M3DFPJ NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NGB30T65M3DFPJ - IGBT, 56 A, 1.52 V, 199 W, 650 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 199W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 56A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Technische Details NGB30T65M3DFPJ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NGB30T65M3DFPJ - IGBT, 56 A, 1.52 V, 199 W, 650 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.52V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 199W, Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 56A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NGB30T65M3DFPJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NGB30T65M3DFPJ - IGBT, 56 A, 1.52 V, 199 W, 650 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |