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Technische Details NGB8207BNT4G onsemi
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO.
Weitere Produktangebote NGB8207BNT4G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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NGB8207BNT4G | Littelfuse Inc. |
Description: IGBT 365V 20A 165W D2PAK3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NGB8207BNT4G | Littelfuse Inc. |
Description: IGBT 365V 20A 165W D2PAK3 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NGB8207BNT4G | IXYS |
IGBT Transistors GEN3 IGBT D2PAK 350V TR |
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| NGB8207BNT4G |
![]() |
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
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| NGB8207BNT4G |
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Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
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Hersteller: IXYS
IGBT Transistors GEN3 IGBT D2PAK 350V TR
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