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NGB8207NT4G

NGB8207NT4G ON Semiconductor

littelfuse_ignition_igbt_ngb8207n-d_datasheetpdf.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 165W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details NGB8207NT4G ON Semiconductor

Description: IGBT 365V 20A 165W D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Logic, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 4V, 20A, Supplier Device Package: D2PAK, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 365 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A, Power - Max: 165 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NGB8207NT4G NGB8207NT4G Hersteller : onsemi NGB8207N.pdf Description: IGBT 365V 20A 165W D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 4V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 365 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 165 W
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NGB8207NT4G Hersteller : ONSEMI ONSMS20994-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NGB8207NT4G - NGB8207NT4G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NGB8207NT4G NGB8207NT4G Hersteller : ON Semiconductor littelfuse_ignition_igbt_ngb8207n-d_datasheetpdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 165000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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NGB8207NT4G NGB8207NT4G Hersteller : onsemi NGB8207N.pdf Description: IGBT 365V 20A 165W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 4V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 365 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 165 W
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NGB8207NT4G Hersteller : onsemi on_semiconductor_ngb8207n_d-1195528.pdf Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers GEN3 IGBT D2PAK TR 350V
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