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NGB8207NT4G

NGB8207NT4G onsemi

NGB8207N.pdf
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 365V 20A 165W D2PAK
Power - Max: 165 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 365 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 4V, 20A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
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Technische Details NGB8207NT4G onsemi

Description: IGBT 365V 20A 165W D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Logic, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 4V, 20A, Supplier Device Package: D2PAK, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 365 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A, Power - Max: 165 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NGB8207NT4G NGB8207NT4G ON Semiconductor littelfuse_ignition_igbt_ngb8207n-d_datasheetpdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 165W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
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209+3.17 EUR
500+2.82 EUR
1000+2.55 EUR
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NGB8207NT4G ONSEMI ONSMS20994-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NGB8207NT4G - NGB8207NT4G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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800+3.27 EUR
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NGB8207NT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 165W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGB8207NT4G - NGB8207NT4G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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