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Technische Details NGTB15N120IHWG onsemi
Description: IGBT 15A 1200V TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/130ns, Switching Energy: 360µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 278 W.
Weitere Produktangebote NGTB15N120IHWG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| NGTB15N120IHWG | Hersteller : ON Semiconductor |
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NGTB15N120IHWG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 278000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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NGTB15N120IHWG | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT 15A 1200V TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/130ns Switching Energy: 360µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 278 W |
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