NGTB15N135IHRWG ON Semiconductor
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Technische Details NGTB15N135IHRWG ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 1350V 30A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/170ns, Switching Energy: 420µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 156 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 357 W.
Weitere Produktangebote NGTB15N135IHRWG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| NGTB15N135IHRWG | ON Semiconductor |
IGBT Transistors IGBT 1350V 15A FS2-RC Induction Heating |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NGTB15N135IHRWG |
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Hersteller: ON Semiconductor
IGBT Transistors IGBT 1350V 15A FS2-RC Induction Heating
IGBT Transistors IGBT 1350V 15A FS2-RC Induction Heating
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)


