NGTB15N60R2FG ON Semiconductor
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Technische Details NGTB15N60R2FG ON Semiconductor
Description: IGBT 600V 24A TO-220F-3FS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-220F-3FS, Td (on/off) @ 25°C: 70ns/190ns, Switching Energy: 550µJ (on), 220µJ (off), Test Condition: 300V, 15A, 30Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 24 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 54 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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NGTB15N60R2FG | ON Semiconductor |
IGBT Transistors RC2 IGBT 15A 600V |
auf Bestellung 369 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NGTB15N60R2FG |
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Hersteller: ON Semiconductor
IGBT Transistors RC2 IGBT 15A 600V
IGBT Transistors RC2 IGBT 15A 600V
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