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NGTB20N120LWG onsemi


NGTB20N120LWG.pdf
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 1200V 40A 192W TO247-3
Gate Charge: 200 nC
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 3.1mJ (on), 700µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 86ns/235ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 192 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Obsolete
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Technische Details NGTB20N120LWG onsemi

Description: IGBT 1200V 40A 192W TO247-3, Gate Charge: 200 nC, Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 3.1mJ (on), 700µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 86ns/235ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Power - Max: 192 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Part Status: Obsolete.

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NGTB20N120LWG NGTB20N120LWG ON Semiconductor NGTB20N120L-D-89368.pdf IGBT Transistors 1200V/20A IGBT FSI TO-247
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