NGTB40N120FL2WAG ON Semiconductor
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Technische Details NGTB40N120FL2WAG ON Semiconductor
Description: IGBT FIELD STOP 1200V 160A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 240 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/145ns, Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 313 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 536 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| NGTB40N120FL2WAG | Hersteller : ON Semiconductor |
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NGTB40N120FL2WAG Produktcode: 171155 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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NGTB40N120FL2WAG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 536000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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NGTB40N120FL2WAG | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 1200V 160A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 240 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/145ns Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 313 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 536 W |
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NGTB40N120FL2WAG | Hersteller : onsemi |
IGBT Transistors IGBT, 1200 VField Stop II, 40 A |
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