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NGTB40N120FL2WG

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Produktcode: 165841
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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NGTB40N120FL2WG NGTB40N120FL2WG ONSEMI ngtb40n120fl2w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 313nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+9.23 EUR
30+7.35 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NGTB40N120FL2WG NGTB40N120FL2WG ON Semiconductor ngtb40n120fl2w-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 9420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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NGTB40N120FL2WG NGTB40N120FL2WG onsemi ngtb40n120fl2w-d.pdf IGBTs 1200V/40A FAST IGBT FSII
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.48 EUR
10+7.79 EUR
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NGTB40N120FL2WG NGTB40N120FL2WG onsemi ngtb40n120fl2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 313 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
auf Bestellung 127736 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.74 EUR
30+7.95 EUR
120+6.66 EUR
510+5.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NGTB40N120FL2WG NGTB40N120FL2WG ON Semiconductor ngtb40n120fl2w-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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NGTB40N120FL2WG ONN ngtb40n120fl2w-d.pdf
auf Bestellung 900 Stücke:
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NGTB40N120FL2WG
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 313nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NGTB40N120FL2WG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: onsemi
IGBTs 1200V/40A FAST IGBT FSII
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NGTB40N120FL2WG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 313 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
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30+7.95 EUR
120+6.66 EUR
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NGTB40N120FL2WG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NGTB40N120FL2WG ngtb40n120fl2w-d.pdf
Hersteller: ONN
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