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NGTB40N120FL2WG

NGTB40N120FL2WG ONSEMI

ngtb40n120fl2w-d.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 313nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
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Technische Details NGTB40N120FL2WG ONSEMI

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 240 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns, Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 313 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 535 W.

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NGTB40N120FL2WG NGTB40N120FL2WG Hersteller : ON Semiconductor ngtb40n120fl2w-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NGTB40N120FL2WG NGTB40N120FL2WG Hersteller : onsemi NGTB40N120FL2W-D.PDF IGBTs 1200V/40A FAST IGBT FSII
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 313 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
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NGTB40N120FL2WG NGTB40N120FL2WG Hersteller : ON Semiconductor ngtb40n120fl2w-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 652000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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