NGTB40N120FL2WG
Produktcode: 165841
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Weitere Produktangebote NGTB40N120FL2WG nach Preis ab 7.79 EUR bis 14.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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NGTB40N120FL2WG | onsemi |
IGBTs 1200V/40A FAST IGBT FSII |
auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NGTB40N120FL2WG | onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 240 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 313 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 535 W |
auf Bestellung 106 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NGTB40N120FL2WG | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 267W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 313nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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NGTB40N120FL2WG | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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NGTB40N120FL2WG | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NGTB40N120FL2WG |
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Hersteller: onsemi
IGBTs 1200V/40A FAST IGBT FSII
IGBTs 1200V/40A FAST IGBT FSII
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 13.48 EUR |
| 10+ | 7.79 EUR |
| NGTB40N120FL2WG |
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Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 313 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 313 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 14.6 EUR |
| 30+ | 8.44 EUR |
| NGTB40N120FL2WG |
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 313nC
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 313nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NGTB40N120FL2WG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NGTB40N120FL2WG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)