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Technische Details NGTB40N120FL2WG onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 240 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns, Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 313 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 535 W.
Weitere Produktangebote NGTB40N120FL2WG nach Preis ab 6.54 EUR bis 11.33 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NGTB40N120FL2WG | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 240 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 313 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 535 W |
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NGTB40N120FL2WG Produktcode: 165841
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NGTB40N120FL2WG | Hersteller : ON Semiconductor |
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NGTB40N120FL2WG | Hersteller : ON Semiconductor |
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NGTB40N120FL2WG | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 267W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 313nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 200A Collector-emitter voltage: 1.2kV |
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