NGTB40N120FL2WG
Produktcode: 165841
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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NGTB40N120FL2WG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 9420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NGTB40N120FL2WG | Hersteller : onsemi |
IGBTs 1200V/40A FAST IGBT FSII |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NGTB40N120FL2WG | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 240 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 313 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 535 W |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NGTB40N120FL2WG | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 267W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 313nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 200A |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NGTB40N120FL2WG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NGTB40N120FL2WG | Hersteller : ONN |
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auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NGTB40N120FL2WG | Hersteller : On Semiconductor |
IGBT 1200V 80A TO247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |