Produkte > ON SEMICONDUCTOR > NGTB40N120S3WG

NGTB40N120S3WG ON Semiconductor


ngtb40n120s3w-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
94+6.97 EUR
100+6.6 EUR
500+6.19 EUR
1000+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NGTB40N120S3WG ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 163 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/145ns, Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 212 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 454 W.

Weitere Produktangebote NGTB40N120S3WG nach Preis ab 10.7 EUR bis 13.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NGTB40N120S3WG NGTB40N120S3WG ONSEMI 2236591.pdf Description: ONSEMI - NGTB40N120S3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.7 EUR
22+10.7 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB40N120S3WG NGTB40N120S3WG onsemi NGTB40N120S3W_D-2317622.pdf IGBT Transistors IGBT 1200V 40A FS3 LOW VF
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB40N120S3WG ON Semiconductor ngtb40n120s3w-d.pdf
auf Bestellung 9034 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB40N120S3WG 2236591.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB40N120S3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.7 EUR
22+10.7 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB40N120S3WG NGTB40N120S3W_D-2317622.pdf
Hersteller: onsemi
IGBT Transistors IGBT 1200V 40A FS3 LOW VF
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB40N120S3WG ngtb40n120s3w-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 9034 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH