Technische Details NGTB50N120FL2WG ONN
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 256 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 118ns/282ns, Switching Energy: 4.4mJ (on), 1.4mJ (off), Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 311 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 535 W.
Weitere Produktangebote NGTB50N120FL2WG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| NGTB50N120FL2WG | On Semiconductor |
 IGBT 1200V 100A 535W TO247 Транзистори |
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NGTB50N120FL2WG | onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 256 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 118ns/282ns Switching Energy: 4.4mJ (on), 1.4mJ (off) Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 311 nC Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 535 W |
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NGTB50N120FL2WG | onsemi |
IGBTs 1200V/50A FAST IGBT FSII |
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NGTB50N120FL2WG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB50N120FL2WG - IGBT, 100 A, 2.2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Verlustleistung: 535 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NGTB50N120FL2WG | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| NGTB50N120FL2WG | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| NGTB50N120FL2WG |
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Hersteller: On Semiconductor
IGBT 1200V 100A 535W TO247 Транзистори
IGBT 1200V 100A 535W TO247 Транзистори
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| NGTB50N120FL2WG |
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Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 256 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 118ns/282ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 311 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 256 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 118ns/282ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 311 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
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| NGTB50N120FL2WG |
|
Hersteller: onsemi
IGBTs 1200V/50A FAST IGBT FSII
IGBTs 1200V/50A FAST IGBT FSII
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| NGTB50N120FL2WG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB50N120FL2WG - IGBT, 100 A, 2.2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 535
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NGTB50N120FL2WG - IGBT, 100 A, 2.2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 535
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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| NGTB50N120FL2WG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| NGTB50N120FL2WG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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