
NGTB50N65FL2WG onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
auf Bestellung 2210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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2+ | 13.29 EUR |
30+ | 7.71 EUR |
120+ | 6.48 EUR |
510+ | 5.68 EUR |
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Technische Details NGTB50N65FL2WG onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 94 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns, Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 220 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 417 W.
Weitere Produktangebote NGTB50N65FL2WG nach Preis ab 5.88 EUR bis 11.37 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NGTB50N65FL2WG | Hersteller : onsemi |
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NGTB50N65FL2WG | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NGTB50N65FL2WG | Hersteller : ON Semiconductor |
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NGTB50N65FL2WG | Hersteller : ON Semiconductor |
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