NGTG30N60FWG ON Semiconductor
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Technische Details NGTG30N60FWG ON Semiconductor
Description: IGBT 600V 60A 167W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 81ns/190ns, Switching Energy: 650µJ (on), 650µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 170 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 167 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| NGTG30N60FWG | Hersteller : ON Semiconductor |
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NGTG30N60FWG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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NGTG30N60FWG | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT 600V 60A 167W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 81ns/190ns Switching Energy: 650µJ (on), 650µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 167 W |
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