| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.03 EUR |
| 10+ | 6.58 EUR |
| 120+ | 4.88 EUR |
| 480+ | 4.08 EUR |
| 1200+ | 3.8 EUR |
| 2640+ | 3.56 EUR |
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Technische Details NGTG30N60FWG onsemi
Description: IGBT TRENCH 600V 60A TO-247-3, Power - Max: 167 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Gate Charge: 170 nC, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 650µJ (on), 650µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 81ns/190ns, IGBT Type: Trench, Supplier Device Package: TO-247-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote NGTG30N60FWG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| NGTG30N60FWG | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| NGTG30N60FWG | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NGTG30N60FWG |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| NGTG30N60FWG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)