NGTG40N120FL2WG ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTG40N120FL2WG - IGBT, 1.2KV, 80A, 175DEG C, 535W
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Technische Details NGTG40N120FL2WG ONSEMI
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns, Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 313 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 535 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| NGTG40N120FL2WG | ON Semiconductor |
IGBT Transistors 1200V/40A FAST IGBT FSII |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NGTG40N120FL2WG |
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Hersteller: ON Semiconductor
IGBT Transistors 1200V/40A FAST IGBT FSII
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)