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NGTG40N120FL2WG ON Semiconductor


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Technische Details NGTG40N120FL2WG ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247, Power - Max: 535 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Part Status: Obsolete, Gate Charge: 313 nC, Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

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NGTG40N120FL2WG ON Semiconductor NGTG40N120FL2W_D-2318052.pdf IGBT Transistors 1200V/40A FAST IGBT FSII
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