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NGW75T65H3DFQ

NGW75T65H3DFQ Nexperia USA Inc.

NGW75T65H3DF.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/170ns
Switching Energy: 2.9mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 450 Stücke:
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Technische Details NGW75T65H3DFQ Nexperia USA Inc.

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 165 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/170ns, Switching Energy: 2.9mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 160 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 600 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NGW75T65H3DFQ NGW75T65H3DFQ Nexperia NGW75T65H3DF.pdf IGBTs NGW75T65H3DF/SOT429/TO-247
auf Bestellung 303 Stücke:
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1+13.17 EUR
10+8.88 EUR
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NGW75T65H3DFQ NGW75T65H3DFQ NEXPERIA 4395791.pdf Description: NEXPERIA - NGW75T65H3DFQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 600 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 600W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NGW75T65H3DFQ NGW75T65H3DF.pdf
NGW75T65H3DFQ
Hersteller: Nexperia
IGBTs NGW75T65H3DF/SOT429/TO-247
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10+8.88 EUR
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NGW75T65H3DFQ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NGW75T65H3DFQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 600 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 600W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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