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NHDTA114YTR

NHDTA114YTR Nexperia USA Inc.

NHDTA123JT_143ZT_114YT_SER.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 80V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.069 EUR
6000+0.062 EUR
9000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details NHDTA114YTR Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NHDTA114YTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-236AB, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: NHDTA114YT Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V.

Weitere Produktangebote NHDTA114YTR nach Preis ab 0.084 EUR bis 0.75 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NHDTA114YTR NHDTA114YTR Nexperia USA Inc. NHDTA123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 80V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 13874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
99+0.21 EUR
160+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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NHDTA114YTR NHDTA114YTR Nexperia NHDTA123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
13+0.27 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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NHDTA114YTR NHDTA114YTR NEXPERIA NHDTA123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHDTA114YTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114YT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
332+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 332 Stücke
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NHDTA114YTR NHDTA114YTR NEXPERIA NHDTA123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHDTA114YTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114YT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 80V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTA114YTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
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Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114YT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
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Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
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Description: NEXPERIA - NHDTA114YTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114YT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
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