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NHDTC114ETR

NHDTC114ETR Nexperia USA Inc.

NHDTC114_124_144ET_SER.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 170 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.058 EUR
6000+0.052 EUR
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Technische Details NHDTC114ETR Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NHDTC114ETR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-236AB, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: NHDTC114ET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
NHDTC114ETR NHDTC114ETR Nexperia nhdtc114_124_144et_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 80V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2577+0.065 EUR
3000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 2577 Stücke
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NHDTC114ETR NHDTC114ETR Nexperia nhdtc114_124_144et_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 80V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6834+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6834 Stücke
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NHDTC114ETR NHDTC114ETR Nexperia USA Inc. NHDTC114_124_144ET_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 170 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 6049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.28 EUR
100+0.18 EUR
160+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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NHDTC114ETR NHDTC114ETR Nexperia NHDTC114_124_144ET_SER.pdf Digital Transistors SOT23 80V NPN RET BJ T
auf Bestellung 7354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.39 EUR
12+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.088 EUR
3000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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NHDTC114ETR NHDTC114ETR NEXPERIA NHDTC114_124_144ET_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHDTC114ETR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC114ET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NHDTC114ETR NHDTC114ETR NEXPERIA NHDTC114_124_144ET_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHDTC114ETR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC114ET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NHDTC114ETR nhdtc114_124_144et_ser.pdf
NHDTC114ETR
Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 80V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2577+0.065 EUR
3000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 2577 Stücke
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NHDTC114ETR
Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 80V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
6834+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6834 Stücke
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NHDTC114ETR NHDTC114_124_144ET_SER.pdf
NHDTC114ETR
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 170 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 6049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
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100+0.18 EUR
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Digital Transistors SOT23 80V NPN RET BJ T
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12+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
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NHDTC114ETR
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC114ETR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
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Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC114ET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NHDTC114ETR
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC114ETR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC114ET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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