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NHDTC144ET-QR

NHDTC144ET-QR Nexperia USA Inc.

NHDTC114_124_144ET-Q_SER.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: NHDTC144ET-Q/SOT23/TO-236AB
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 170 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-236AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details NHDTC144ET-QR Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NHDTC144ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: NHDTC144ET-Q Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NHDTC144ET-QR NHDTC144ET-QR Nexperia NHDTC114_124_144ET-Q_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT NHDTC144ET-Q/SOT23/TO-236AB
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NHDTC144ET-QR NHDTC144ET-QR Nexperia USA Inc. NHDTC114_124_144ET-Q_SER.pdf Description: NHDTC144ET-Q/SOT23/TO-236AB
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NHDTC144ET-QR NHDTC144ET-QR NEXPERIA NHDTC114_124_144ET-Q_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHDTC144ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC144ET-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3000 Stücke:
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472+0.49 EUR
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NHDTC144ET-QR NHDTC144ET-QR NEXPERIA NHDTC114_124_144ET-Q_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHDTC144ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC144ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 80 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
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Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
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tariffCode: 85412100
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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