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Technische Details NHUMD13X Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - NHUMD13X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 80 V, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: NHUMD13 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NHUMD13X nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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NHUMD13X | Hersteller : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT NHUMD13/SOT363/SC-88 |
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NHUMD13X | Hersteller : Nexperia USA Inc. | Description: NHUMD13/SOT363/SC-88 |
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NHUMD13X | Hersteller : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - NHUMD13X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 80 V, 80 V, 100 mA, 4.7 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: NHUMD13 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NHUMD13X | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHUMD13X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 80 V, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: NHUMD13 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NHUMD13X | Hersteller : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN/PNP 80V 100mA 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |