NHUMD9X Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 170MHz, 150MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.1 EUR |
| 6000+ | 0.09 EUR |
| 9000+ | 0.084 EUR |
| 15000+ | 0.079 EUR |
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Technische Details NHUMD9X Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - NHUMD9X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 80 V, 80 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: NHUMD9 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NHUMD9X nach Preis ab 0.09 EUR bis 0.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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NHUMD9X | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz, 150MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 18526 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NHUMD9X | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 80 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped double transistors |
auf Bestellung 5718 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NHUMD9X | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHUMD9X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 80 V, 80 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: NHUMD9 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NHUMD9X | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHUMD9X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 80 V, 80 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: NHUMD9 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NHUMD9X | Hersteller : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN/PNP 80V 100mA 350mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
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