NIS5112D1R2G. ONSEMI
Hersteller: ONSEMIDescription: ONSEMI - NIS5112D1R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: 9V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NIS5112D1R2G. ONSEMI
Description: ONSEMI - NIS5112D1R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, rohsCompliant: YES, Versorgungsspannung, min.: 9V, Anzahl der Pins: 8Pin(s), euEccn: NLR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, max.: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, usEccn: EAR99.
Weitere Produktangebote NIS5112D1R2G.
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
NIS5112D1R2G. | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NIS5112D1R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 9V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |