NJD35N04G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details NJD35N04G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NJD35N04G - Darlington-Transistor, NPN, 350 V, 45 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 45W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 350V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 4A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NJD35N04G nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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NJD35N04G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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NJD35N04G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors POWER DARL TRANSIST |
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NJD35N04G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 45 W |
auf Bestellung 18731 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NJD35N04G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NJD35N04G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 1271 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NJD35N04G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJD35N04G - Darlington-Transistor, NPN, 350 V, 45 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 45W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 350V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 4A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 573 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NJD35N04G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NJD35N04G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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