NJL1302DG ON Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 106+ | 6.34 EUR |
| 500+ | 5.91 EUR |
| 1000+ | 5.47 EUR |
| 10000+ | 5.03 EUR |
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Technische Details NJL1302DG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NJL1302DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 200W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-264, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote NJL1302DG nach Preis ab 7.58 EUR bis 20.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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NJL1302DG | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube |
auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NJL1302DG | onsemi |
Description: TRANS PNP 260V 15A TO-264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-5 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP + Diode (Isolated) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-264-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V Power - Max: 200 W |
auf Bestellung 323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NJL1302DG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJL1302DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 200W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-264 Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NJL1302DG | ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP + diode; bipolar; 260V; 15A; 200W; TO264-5 Type of transistor: PNP + diode Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 260V Collector current: 15A Power dissipation: 200W Case: TO264-5 Pulsed collector current: 25A Current gain: 45...150 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| NJL1302DG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNPBIP PWR THERM TRK PPD |
auf Bestellung 1077 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NJL1302DG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
Trans GP BJT PNP 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 8.83 EUR |
| 100+ | 8.63 EUR |
| NJL1302DG |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 260V 15A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP + Diode (Isolated)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 200 W
Description: TRANS PNP 260V 15A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP + Diode (Isolated)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 15.24 EUR |
| 25+ | 9.06 EUR |
| 100+ | 7.58 EUR |
| NJL1302DG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJL1302DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-264
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NJL1302DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-264
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 20.92 EUR |
| 22+ | 10.82 EUR |
| 100+ | 9.66 EUR |
| NJL1302DG |
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Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP + diode; bipolar; 260V; 15A; 200W; TO264-5
Type of transistor: PNP + diode
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 260V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO264-5
Pulsed collector current: 25A
Current gain: 45...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP + diode; bipolar; 260V; 15A; 200W; TO264-5
Type of transistor: PNP + diode
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 260V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO264-5
Pulsed collector current: 25A
Current gain: 45...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NJL1302DG |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNPBIP PWR THERM TRK PPD
Bipolar Transistors - BJT PNPBIP PWR THERM TRK PPD
auf Bestellung 1077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 14.11 EUR |
| 10+ | 7.91 EUR |