Technische Details NJL3281D ON
Description: TRANS NPN 260V 15A TO-264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-5, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-264-5, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V, Power - Max: 200 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NJL3281D | onsemi |
 Description: TRANS NPN 260V 15A TO-264Packaging: Tube Package / Case: TO-264-5 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-264-5 Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V Power - Max: 200 W |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NJL3281D | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
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| NJL3281D | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 15A 260V 200W NPN |
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| NJL3281D |
|
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 260V 15A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264-5
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 200 W
Description: TRANS NPN 260V 15A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264-5
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 200 W
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| NJL3281D |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
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| NJL3281D |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 15A 260V 200W NPN
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