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NJVMJB41CT4G

NJVMJB41CT4G ON Semiconductor

mjb41c-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details NJVMJB41CT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Hersteller : onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
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Anzahl Preis
800+0.92 EUR
1600+0.84 EUR
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NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Hersteller : Fairchild Semiconductor ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Power - Max: 2 W
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437+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 437
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NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Hersteller : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 740950 Stücke:
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364+1.19 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.92 EUR
10000+0.79 EUR
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Mindestbestellmenge: 364
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NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Hersteller : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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364+1.19 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.92 EUR
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100000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 364
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NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Hersteller : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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364+1.19 EUR
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10000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 364
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NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Hersteller : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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364+1.19 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.92 EUR
10000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 364
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NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Hersteller : onsemi MJB41C_D-1811453.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 6A 100V TR
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10+1.83 EUR
100+1.23 EUR
500+0.92 EUR
800+0.81 EUR
2400+0.77 EUR
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NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Hersteller : onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 7632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.87 EUR
10+1.83 EUR
100+1.23 EUR
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NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Hersteller : onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 6283 Stücke:
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Anzahl Preis
7+2.87 EUR
10+1.83 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Hersteller : ONSEMI mjb41c-d.pdf ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Hersteller : ONSEMI mjb41c-d.pdf ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NJVMJB41CT4G Hersteller : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 4346 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Hersteller : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Hersteller : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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NJVMJB41CT4G Hersteller : ONSEMI mjb41c-d.pdf ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 65W; D2PAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Current gain: 15...75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
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