NJVMJB41CT4G Fairchild Semiconductor
Hersteller: Fairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 57600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 533+ | 0.9 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NJVMJB41CT4G Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NJVMJB41CT4G nach Preis ab 0.86 EUR bis 3.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NJVMJB41CT4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: D²PAK Part Status: Active Power - Max: 2 W |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
NJVMJB41CT4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: D²PAK Part Status: Active Power - Max: 2 W |
auf Bestellung 4165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
NJVMJB41CT4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: D²PAK Part Status: Active Power - Max: 2 W |
auf Bestellung 4165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
NJVMJB41CT4G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 6A 100V TR |
auf Bestellung 1444 Stücke: Lieferzeit 98-112 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
NJVMJB41CT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
NJVMJB41CT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| NJVMJB41CT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
|
auf Bestellung 4346 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
 |
NJVMJB41CT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |