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NJVMJB41CT4G

NJVMJB41CT4G ON Semiconductor

mjb41c-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
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Technische Details NJVMJB41CT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.09 EUR
1600+1 EUR
2400+0.96 EUR
4000+0.92 EUR
5600+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G Fairchild Semiconductor ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN D2PAK
Power - Max: 2 W
Supplier Device Package: D2PAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 57600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
437+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
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NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 17600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
364+1.45 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.17 EUR
10000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
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NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1020690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
364+1.45 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.17 EUR
10000+1.01 EUR
100000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
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NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 740950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
364+1.45 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.17 EUR
10000+1.01 EUR
100000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
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NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 54400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
364+1.45 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.17 EUR
10000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
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NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G ONSEMI mjb41c-d.pdf ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.67 EUR
105+2.05 EUR
132+1.63 EUR
250+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G onsemi MJB41C-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 6A 100V TR
auf Bestellung 2392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.18 EUR
100+1.46 EUR
500+1.36 EUR
800+0.96 EUR
2400+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Power - Max: 2 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.42 EUR
10+2.18 EUR
100+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 6283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.42 EUR
10+2.18 EUR
100+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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NJVMJB41CT4G NJVMJB41CT4G ONSEMI mjb41c-d.pdf ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.5 EUR
87+2.67 EUR
105+2.05 EUR
132+1.63 EUR
250+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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NJVMJB41CT4G ON Semiconductor mjb41c-d.pdf ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 4346 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NJVMJB41CT4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.09 EUR
1600+1 EUR
2400+0.96 EUR
4000+0.92 EUR
5600+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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NJVMJB41CT4G ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NJVMJB41CT4G
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN D2PAK
Power - Max: 2 W
Supplier Device Package: D2PAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 57600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
437+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
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NJVMJB41CT4G
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Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 17600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
364+1.45 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.17 EUR
10000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
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NJVMJB41CT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1020690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
364+1.45 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.17 EUR
10000+1.01 EUR
100000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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NJVMJB41CT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 740950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
364+1.45 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.17 EUR
10000+1.01 EUR
100000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
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NJVMJB41CT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 54400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
364+1.45 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.17 EUR
10000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJB41CT4G mjb41c-d.pdf ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NJVMJB41CT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.67 EUR
105+2.05 EUR
132+1.63 EUR
250+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJB41CT4G MJB41C-D.PDF
NJVMJB41CT4G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 6A 100V TR
auf Bestellung 2392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.17 EUR
10+2.18 EUR
100+1.46 EUR
500+1.36 EUR
800+0.96 EUR
2400+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJB41CT4G mjb41c-d.pdf
NJVMJB41CT4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Power - Max: 2 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.42 EUR
10+2.18 EUR
100+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJB41CT4G mjb41c-d.pdf
NJVMJB41CT4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 6283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.42 EUR
10+2.18 EUR
100+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJB41CT4G mjb41c-d.pdf ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NJVMJB41CT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+4.5 EUR
87+2.67 EUR
105+2.05 EUR
132+1.63 EUR
250+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJB41CT4G mjb41c-d.pdf ONSMS34460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 4346 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH