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NJVMJB44H11T4G

NJVMJB44H11T4G onsemi

mjb44h11-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details NJVMJB44H11T4G onsemi

Description: ONSEMI - NJVMJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote NJVMJB44H11T4G nach Preis ab 1.14 EUR bis 4.19 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NJVMJB44H11T4G NJVMJB44H11T4G Fairchild Semiconductor ONSMS34461-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 68942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
304+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
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NJVMJB44H11T4G NJVMJB44H11T4G ONSEMI mjb44h11-d.pdf ONSMS34461-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NJVMJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
129+1.67 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NJVMJB44H11T4G NJVMJB44H11T4G ONSEMI mjb44h11-d.pdf ONSMS34461-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NJVMJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.62 EUR
93+2.51 EUR
129+1.67 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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NJVMJB44H11T4G NJVMJB44H11T4G onsemi mjb44h11-d.pdf ONSMS34461-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 80V TR
auf Bestellung 1023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.11 EUR
10+2.64 EUR
100+1.78 EUR
500+1.26 EUR
2400+1.17 EUR
4800+1.14 EUR
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NJVMJB44H11T4G NJVMJB44H11T4G onsemi mjb44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
10+2.68 EUR
100+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NJVMJB44H11T4G ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf ONSMS34461-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 6260 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NJVMJB44H11T4G
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 68942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
304+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
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NJVMJB44H11T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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500+1.52 EUR
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NJVMJB44H11T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+3.62 EUR
93+2.51 EUR
129+1.67 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 80V TR
auf Bestellung 1023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.11 EUR
10+2.64 EUR
100+1.78 EUR
500+1.26 EUR
2400+1.17 EUR
4800+1.14 EUR
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NJVMJB44H11T4G
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Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.19 EUR
10+2.68 EUR
100+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJB44H11T4G mjb44h11-d.pdf ONSMS34461-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 6260 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH