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NJVMJD117T4G

NJVMJD117T4G onsemi

mjd112-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
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Technische Details NJVMJD117T4G onsemi

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V, Frequency - Transition: 25MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.75 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NJVMJD117T4G onsemi MJD112_D-1773628.pdf Darlington Transistors BIP PNP 2A 100V TR
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2+2.01 EUR
10+1.67 EUR
100+1.3 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.89 EUR
2500+0.8 EUR
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auf Bestellung 2268 Stücke:
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