Produkte > ONSEMI > NJVMJD2955T4G
NJVMJD2955T4G

NJVMJD2955T4G onsemi

mjd2955-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.55 EUR
5000+0.51 EUR
7500+0.49 EUR
12500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NJVMJD2955T4G onsemi

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 2MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.75 W.

Weitere Produktangebote NJVMJD2955T4G nach Preis ab 0.44 EUR bis 2.18 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NJVMJD2955T4G NJVMJD2955T4G onsemi MJD2955-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 60V TR
auf Bestellung 3874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.96 EUR
10+1.23 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.51 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJD2955T4G NJVMJD2955T4G onsemi mjd2955-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 17018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
16+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJD2955T4G ON Semiconductor mjd2955-d.pdf
auf Bestellung 2103 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJD2955T4G MJD2955-D.PDF
NJVMJD2955T4G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 60V TR
auf Bestellung 3874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.96 EUR
10+1.23 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.51 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJD2955T4G mjd2955-d.pdf
NJVMJD2955T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 17018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.18 EUR
16+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJD2955T4G mjd2955-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 2103 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH