Produkte > ONSEMI > NJVMJD44H11D3T4G

NJVMJD44H11D3T4G onsemi

Name: NJVMJD44H11D3T4G
Brand: onsemi
SKU: 38084898-3
Price: 470.11 EUR
Availability: InStock

Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 2176 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
53+	8.87 EUR

Mindestbestellmenge: 53

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details NJVMJD44H11D3T4G onsemi

Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V, Frequency - Transition: 85MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 20 W.

Weitere Produktangebote NJVMJD44H11D3T4G

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
NJVMJD44H11D3T4G	Hersteller : ON Semiconductor	Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 4-Pin(3+Tab) DPAK T/R	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NJVMJD44H11D3T4G	Hersteller : onsemi	Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NJVMJD44H11D3T4G	Hersteller : onsemi	Bipolar Transistors - BJT SILICON POWER TRANSI	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH