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NJVMJD45H11G

NJVMJD45H11G onsemi

mjd44h11-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details NJVMJD45H11G onsemi

Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V, Frequency - Transition: 90MHz, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.75 W, Qualification: AEC-Q101.

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NJVMJD45H11G NJVMJD45H11G Hersteller : onsemi MJD44H11_D-2315885.pdf Bipolar Transistors - BJT Bipolar Power Transistor, PNP, 8 A, 80 V, 20 Watt
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NJVMJD45H11G NJVMJD45H11G Hersteller : ON Semiconductor 420892567304467mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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