NJW3281G ON Semiconductor
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Technische Details NJW3281G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NJW3281G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 200W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-3P, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote NJW3281G nach Preis ab 4.66 EUR bis 11.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NJW3281G | onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 200 W BETA AUDIO |
auf Bestellung 558 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NJW3281G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NJW3281G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJW3281G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2427 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NJW3281G | onsemi |
Description: TRANS NPN 250V 15A TO-3P-3L Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P-3L Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 200 W |
auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NJW3281G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 15A Power dissipation: 200W Case: TO3P Current gain: 45...150 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz Application: automotive industry |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NJW3281G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NJW3281G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NJW3281G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200 W BETA AUDIO
Bipolar Transistors - BJT 200 W BETA AUDIO
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.01 EUR |
| 10+ | 5.53 EUR |
| NJW3281G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 9.29 EUR |
| NJW3281G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJW3281G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NJW3281G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 10.75 EUR |
| 40+ | 5.94 EUR |
| 100+ | 5.16 EUR |
| 500+ | 4.76 EUR |
| 1000+ | 4.66 EUR |
| NJW3281G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 15A TO-3P-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P-3L
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
Description: TRANS NPN 250V 15A TO-3P-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P-3L
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 11.16 EUR |
| 30+ | 6.32 EUR |
| 120+ | 5.25 EUR |
| NJW3281G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO3P
Current gain: 45...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO3P
Current gain: 45...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NJW3281G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NJW3281G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)