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Technische Details NLV32T-1R8J-EFD TDK
Description: TDK - NLV32T-1R8J-EFD - Drahtgewickelte Induktivität, 1.8 µH, 0.9 ohm, 80 MHz, 350 mA, 1210 [Metrisch 3225], tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 2.2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 1.8µH, Bauart der Induktivität: Ungeschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 5%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1210 [Metrisch 3225], DC-Widerstand, max.: 0.9ohm, Bauform - Induktivität: 1210 [Metrisch 3225], Eigenresonanzfrequenz: 80MHz, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Ferrit, DC-Nennstrom: 350mA, Produktlänge: 3.2mm, euEccn: NLR, Produktpalette: NLV32-EFD Series, productTraceability: No, Produktbreite: 2.5mm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote NLV32T-1R8J-EFD
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NLV32T-1R8J-EFD | Hersteller : TDK |
 Description: TDK - NLV32T-1R8J-EFD - Drahtgewickelte Induktivität, 1.8 µH, 0.9 ohm, 80 MHz, 350 mA, 1210 [Metrisch 3225]tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 2.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1.8µH Bauart der Induktivität: Ungeschirmt Induktivitätstoleranz: ± 5% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1210 [Metrisch 3225] DC-Widerstand, max.: 0.9ohm Bauform - Induktivität: 1210 [Metrisch 3225] Eigenresonanzfrequenz: 80MHz isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kernmaterial: Ferrit DC-Nennstrom: 350mA Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Produktpalette: NLV32-EFD Series productTraceability: No Produktbreite: 2.5mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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NLV32T-1R8J-EFD | Hersteller : TDK Corporation |
Description: FIXED IND 1.8UH 350MA 900 MOHM |
auf Bestellung 1795 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NLV32T-1R8J-EFD | Hersteller : TDK Corporation |
Description: FIXED IND 1.8UH 350MA 900 MOHM |
auf Bestellung 1795 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NLV32T-1R8J-EFD | Hersteller : TDK |
Description: TDK - NLV32T-1R8J-EFD - Drahtgewickelte Induktivität, 1.8 µH, 0.9 ohm, 80 MHz, 350 mA, 1210 [Metrisch 3225] tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 2.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1.8µH Bauart der Induktivität: Ungeschirmt Induktivitätstoleranz: ± 5% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1210 [Metrisch 3225] DC-Widerstand, max.: 0.9ohm Eigenresonanzfrequenz: 80MHz isCanonical: N usEccn: EAR99 Kernmaterial: Ferrit DC-Nennstrom: 350mA Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Produktpalette: NLV32-EFD Series productTraceability: No Produktbreite: 2.5mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NLV32T-1R8J-EFD | Hersteller : TDK Corporation |
Description: FIXED IND 1.8UH 350MA 900 MOHM |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NLV32T-1R8J-EFD | Hersteller : TDK - Teridian |
Inductor General Purpose Chip Molded/Unshielded Wirewound 1.8uH 5% 7.96MHz 30Q-Factor Ferrite 0.35A 0.9Ohm DCR 1210 Automotive T/R |
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