Technische Details NP100T12P2T3Z Nexperia
Description: NEXPERIA - NP100T12P2T3Z - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 100 A, 1.65 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötstift, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NP100T12P2T3Z nach Preis ab 275.01 EUR bis 330.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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NP100T12P2T3Z | Nexperia USA Inc. |
 Description: IGBT MODULE 1200V 50A 20MWPackaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter with Brake Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3650 pF @ 25 V |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NP100T12P2T3Z | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NP100T12P2T3Z - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 100 A, 1.65 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85423990 Transistormontage: Platte rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötstift euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NP100T12P2T3Z |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: IGBT MODULE 1200V 50A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3650 pF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 1200V 50A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3650 pF @ 25 V
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 325.76 EUR |
| 10+ | 277.16 EUR |
| NP100T12P2T3Z |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NP100T12P2T3Z - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 100 A, 1.65 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - NP100T12P2T3Z - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 100 A, 1.65 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 330.44 EUR |
| 5+ | 302.38 EUR |
| 10+ | 275.01 EUR |