NP50P04SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details NP50P04SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - NP50P04SDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 9600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 84W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 84W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm.
Weitere Produktangebote NP50P04SDG-E1-AY nach Preis ab 1.98 EUR bis 5.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NP50P04SDG-E1-AY | Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 8683 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NP50P04SDG-E1-AY | Renesas Electronics |
MOSFETs Pch Power MOSFET -40V -50A 9.6mohm TO-252 / DPAK |
auf Bestellung 1705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NP50P04SDG-E1-AY | RENESAS |
Description: RENESAS - NP50P04SDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 9600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 84W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm |
auf Bestellung 2347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NP50P04SDG-E1-AY | RENESAS |
Description: RENESAS - NP50P04SDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 9600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 84W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 84W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NP50P04SDG-E1-AY |
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Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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| NP50P04SDG-E1-AY |
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Hersteller: Renesas Electronics
MOSFETs Pch Power MOSFET -40V -50A 9.6mohm TO-252 / DPAK
MOSFETs Pch Power MOSFET -40V -50A 9.6mohm TO-252 / DPAK
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| 1+ | 5.93 EUR |
| 10+ | 3.58 EUR |
| 100+ | 2.59 EUR |
| 500+ | 2.18 EUR |
| 1000+ | 2.12 EUR |
| 2500+ | 1.98 EUR |
| NP50P04SDG-E1-AY |
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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - NP50P04SDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 9600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 50A
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Kanaltyp: p-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
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| NP50P04SDG-E1-AY |
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Hersteller: RENESAS
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Wandlerpolarität: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
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Verlustleistung Pd: 84W
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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