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NRTS10100PFST3G

NRTS10100PFST3G onsemi

nrts10100pfs-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO2773
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 760pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Technische Details NRTS10100PFST3G onsemi

Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO2773, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 760pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-277-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NRTS10100PFST3G NRTS10100PFST3G Hersteller : onsemi nrts10100pfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO2773
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 760pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
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NRTS10100PFST3G Hersteller : onsemi nrts10100pfs-d.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 10A 100V TRENCH SCHOTTKY IN TO-277 PACKAGE
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NRTS10100PFST3G Hersteller : ON Semiconductor nrts10100pfs-d.pdf Schottky Barrier Rectifier, Trench-based
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