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NRTS12100PFST3G

NRTS12100PFST3G onsemi

NRTS12100PFS-D.PDF Hersteller: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 930pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
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Technische Details NRTS12100PFST3G onsemi

Description: DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 930pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-277-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V.

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NRTS12100PFST3G NRTS12100PFST3G Hersteller : onsemi NRTS12100PFS-D.PDF Description: DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 930pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
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NRTS12100PFST3G Hersteller : ON Semiconductor nrts12100pfs-d.pdf Diode Schottky 100V 12A 3-Pin TO-277 T/R
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NRTS12100PFST3G Hersteller : onsemi NRTS12100PFS_D-2318248.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 12A 100V TRENCH SCHOTTKY IN TO-277 PACKAGE
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