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NRTS860PFST3G

NRTS860PFST3G onsemi

NRTS860PFS-D.PDF Hersteller: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 870pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V
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Technische Details NRTS860PFST3G onsemi

Description: DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 870pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-277-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NRTS860PFST3G Hersteller : ON Semiconductor nrts860pfs-d.pdf Schottky Barrier Rectifier, Trench-based
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NRTS860PFST3G NRTS860PFST3G Hersteller : onsemi NRTS860PFS-D.PDF Description: DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 870pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V
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NRTS860PFST3G Hersteller : onsemi NRTS860PFS_D-2318336.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 8 A, 60 V Trench Schottky Rectifier in TO-277 package
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