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NRVFES6G onsemi

fes6d-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 400V 6A TO277-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 400 V
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Technische Details NRVFES6G onsemi

Description: DIODE GEN PURP 400V 6A TO277-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 45 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: TO-277-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 400 V.

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NRVFES6G Hersteller : onsemi fes6d-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 6A TO277-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 400 V
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NRVFES6G NRVFES6G Hersteller : ON Semiconductor FES6D-D-1540069.pdf Rectifiers UFR TO277 PN 6A 400V
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