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NRVUS360VBT3G

NRVUS360VBT3G onsemi

murs360bt3-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details NRVUS360VBT3G onsemi

Description: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: SMB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NRVUS360VBT3G NRVUS360VBT3G Hersteller : onsemi murs360bt3-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
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NRVUS360VBT3G Hersteller : onsemi MURS360BT3_D-2316387.pdf Rectifiers 3A 600V UFR RECTIFIER
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NRVUS360VBT3G Hersteller : ONSEMI murs360bt3-d.pdf NRVUS360VBT3G SMD universal diodes
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