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NSB4904DW1T1G

NSB4904DW1T1G onsemi

nsb4904dw1t1g-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
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Technische Details NSB4904DW1T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 250mW, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 47kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSB4904DW1T1G NSB4904DW1T1G onsemi NSB4904DW1T1G_D-2318252.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR
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