NSBA114EDXV6T5G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Bulk
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6662+ | 0.081 EUR |
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Technische Details NSBA114EDXV6T5G onsemi
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563, Supplier Device Package: SOT-563, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Resistor - Base (R1): 10kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 500mW, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote NSBA114EDXV6T5G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| NSBA114EDXV6T5G |
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auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NSBA114EDXV6T5G |
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
