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NSBA123EF3T5G

NSBA123EF3T5G onsemi

dta123e-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
auf Bestellung 320000 Stücke:
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Technische Details NSBA123EF3T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1123, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-1123, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 254 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NSBA123EF3T5G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0000248328-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBA123EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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NSBA123EF3T5G NSBA123EF3T5G Hersteller : ON Semiconductor dta123e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
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NSBA123EF3T5G NSBA123EF3T5G Hersteller : onsemi dta123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
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NSBA123EF3T5G Hersteller : onsemi DTA123E_D-2310980.pdf Digital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
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