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Technische Details NSBA123TDP6T5G onsemi
Category: PNP SMD transistors, Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 269mW; SOT963; 2.2kΩ, Type of transistor: PNP x2, Polarisation: bipolar, Collector-emitter voltage: 50V, Collector current: 0.1A, Power dissipation: 269mW, Case: SOT963, Current gain: 160...350, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Base resistor: 2.2kΩ, Quantity in set/package: 8000pcs., Kind of transistor: BRT.
Weitere Produktangebote NSBA123TDP6T5G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| NSBA123TDP6T5G | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NSBA123TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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NSBA123TDP6T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R |
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NSBA123TDP6T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NSBA123TDP6T5G | Hersteller : onsemi |
Digital Transistors DUAL PBRT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NSBA123TDP6T5G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 269mW; SOT963; 2.2kΩ Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 269mW Case: SOT963 Current gain: 160...350 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Quantity in set/package: 8000pcs. Kind of transistor: BRT |
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