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Technische Details NSBA123TDP6T5G onsemi
Category: PNP SMD transistors, Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 269mW; SOT963; 2.2kΩ, Mounting: SMD, Base resistor: 2.2kΩ, Power dissipation: 269mW, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: BRT, Type of transistor: PNP x2, Current gain: 160...350, Kind of package: reel; tape, Case: SOT963, Collector current: 0.1A, Manufacturer standard package: 8000pcs., Collector-emitter voltage: 50V.
Weitere Produktangebote NSBA123TDP6T5G nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSBA123TDP6T5G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NSBA123TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 133500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSBA123TDP6T5G |
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Hersteller: ONSEMI
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