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Technische Details NSBA123TF3T5G onsemi
Category: PNP SMD transistors, Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 297mW; SOT1123; 2.2kΩ, Mounting: SMD, Base resistor: 2.2kΩ, Power dissipation: 297mW, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: BRT, Type of transistor: PNP, Current gain: 160...350, Kind of package: reel; tape, Case: SOT1123, Collector current: 0.1A, Manufacturer standard package: 8000pcs., Collector-emitter voltage: 50V.
Weitere Produktangebote NSBA123TF3T5G nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSBA123TF3T5G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NSBA123TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 136000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSBA123TF3T5G |
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Hersteller: ONSEMI
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