| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.92 EUR |
| 10+ | 0.67 EUR |
| 100+ | 0.61 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| 2000+ | 0.19 EUR |
| 4000+ | 0.17 EUR |
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Technische Details NSBA124EDXV6T1G onsemi
Category: PNP SMD transistors, Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; R1: 22kΩ, Type of transistor: PNP x2, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: BRT, Collector-emitter voltage: 50V, Collector current: 0.1A, Power dissipation: 0.5W, Case: SOT563, Current gain: 60...100, Mounting: SMD, Quantity in set/package: 4000pcs., Kind of package: reel; tape, Base resistor: 22kΩ, Base-emitter resistor: 22kΩ.
Weitere Produktangebote NSBA124EDXV6T1G nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSBA124EDXV6T1G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NSBA124EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSBA124EDXV6T1G | ON Semiconductor |
|
auf Bestellung 3950 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NSBA124EDXV6T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
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auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8000+ | 0.14 EUR |
| NSBA124EDXV6T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)